0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | TK560A65Y,S4X | ผู้ผลิต | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| ลักษณะ | MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS | สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | ปราศจากสารตะกั่วและ RoHS |
| ปริมาณที่มีอยู่ | 66998 pcs | แผ่นข้อมูล | TK560A65Y,S4X.pdf |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 240µA | Vgs (สูงสุด) | ±30V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220SIS |
| ชุด | DTMOSV | RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 30W | บรรจุภัณฑ์ | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | ชื่ออื่น | TK560A65Y,S4X(S TK560A65YS4X TK560A65YS4X(S |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | ประเภทการติดตั้ง | Through Hole |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 380pF @ 300V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 14.5nC @ 10V | ประเภท FET | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650V | คำอธิบายโดยละเอียด | N-Channel 650V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
|---|---|---|
| ดีเอชแอ | www.DHL.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ยูพีเอส | www.UPS.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ทีเอ็นที | www.TNT.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
