0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | TK6A65W,S5X | ผู้ผลิต | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| ลักษณะ | MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS | สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | ปราศจากสารตะกั่วและ RoHS |
| ปริมาณที่มีอยู่ | 42966 pcs | แผ่นข้อมูล | TK6A65W,S5X.pdf |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 180µA | Vgs (สูงสุด) | ±30V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220SIS |
| ชุด | DTMOSIV | RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2.9A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 30W (Tc) | บรรจุภัณฑ์ | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | ชื่ออื่น | TK6A65W,S5X(M TK6A65WS5X |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | ประเภทการติดตั้ง | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 390pF @ 300V | ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| ประเภท FET | N-Channel | คุณสมบัติ FET | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650V |
| คำอธิบายโดยละเอียด | N-Channel 650V 5.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS | ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
|---|---|---|
| ดีเอชแอ | www.DHL.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ยูพีเอส | www.UPS.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ทีเอ็นที | www.TNT.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
