0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQP8N90C | ผู้ผลิต | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| ลักษณะ | MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220 | สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | ปราศจากสารตะกั่วและ RoHS |
| ปริมาณที่มีอยู่ | 31947 pcs | แผ่นข้อมูล | 1.FQP8N90C.pdf2.FQP8N90C.pdf |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (สูงสุด) | ±30V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB |
| ชุด | QFET® | RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 171W (Tc) | บรรจุภัณฑ์ | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2080pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45nC @ 10V | ประเภท FET | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 900V | คำอธิบายโดยละเอียด | N-Channel 900V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.3A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
|---|---|---|
| ดีเอชแอ | www.DHL.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ยูพีเอส | www.UPS.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ทีเอ็นที | www.TNT.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
