ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
ผู้ผลิตแนะนำ
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) กำลังขับเคลื่อนนวัตกรรมด้านพลังงานอย่างมีประสิทธิภาพเพิ่มขีดความสามารถให้กับลูกค้าในการลดการใช้พลังงานทั่วโลก บริษัท มีกลุ่มผลิตภัณฑ์ด้...รายละเอียด
-
FDS6912
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
-
NVMFD5C470NT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
-
FDMB2307NZ
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 6-MLP
-
NTZD3154NT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- - กลุ่มผลิตภัณฑ์ Vishay เป็นกลุ่มของเซมิคอนดักเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง (ไดโอด, ทรานสเฟอร์ออปติกและออปโตอิเล็กทรอนิกส์) และชิ้นส่วนพาสซีฟ (ตัวต้านทาน, ตัวเหนี่ยวนำแล...รายละเอียด
-
SI4963BDY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
-
SI4505DY-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
-
SI9933CDY-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
-
SIZF916DT-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:MOSFET N-CH DUAL 30V
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- เมื่อวันที่ 1 เมษายน พ.ศ. 2542 ซีเมนส์เซมิคอนดักเตอร์กลายเป็น Infineon Technologies บริษัท ที่มีความยืดหยุ่นมากขึ้นแบบไดนามิกมุ่งสู่ความสำเร็จในการแข่งขันในโลกที่เปลี่ย...รายละเอียด
-
BSC072N03LDGATMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
-
IPG20N10S4L22AATMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
-
IPG20N04S4L07AATMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 8TDSON
-
BSL215CH6327XTSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
- Diodes Incorporated
- - ไดโอด Incorporated เป็นผู้ผลิตและผู้จัดจำหน่ายผลิตภัณฑ์มาตรฐานเฉพาะที่มีคุณภาพสูงระดับโลกในตลาดเซมิคอนดักเตอร์แบบกว้าง ๆ ไม่ว่าจะเป็นตรรกะอะนาล็อกและผสมสัญญา...รายละเอียด
-
DMN3015LSD-13
Diodes Incorporated
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
-
ZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
ลักษณะ:MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
-
DMN33D8LDW-13
Diodes Incorporated
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
-
ZXMC3AMCTA
Diodes Incorporated
ลักษณะ:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
- LAPIS Semiconductor
- - ROHM ก่อตั้งขึ้นในกรุงเกียวโตประเทศญี่ปุ่นในปีพ. ศ. 2501 ROHM ออกแบบและผลิตผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์วงจรรวมและส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ คอมโพเนนต์เหล่านี้ห...รายละเอียด
-
US6M2TR
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
-
QH8JA1TCR
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,
-
SP8K5FU6TB
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
-
US6K1TR
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6