ตัวต้านทานชิป - Surface Mount
ผู้ผลิตแนะนำ
- Yageo
- - ก่อตั้งขึ้นในปี 2520 บริษัท Yageo Corporation ได้กลายเป็นผู้ให้บริการระดับโลกในการให้บริการส่วนประกอบแบบพาสซีฟที่มีขีดความสามารถในระดับโลกรวมทั้งโรงงานผลิตและจำห...รายละเอียด
- Dale / Vishay
- - กลุ่มผลิตภัณฑ์ Vishay เป็นกลุ่มของเซมิคอนดักเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง (ไดโอด, ทรานสเฟอร์ออปติกและออปโตอิเล็กทรอนิกส์) และชิ้นส่วนพาสซีฟ (ตัวต้านทาน, ตัวเหนี่ยวนำแล...รายละเอียด
- AMP Connectors / TE Connectivity
- - TE Connectivity AMP เดิม Tyco Electronics AMP เป็นผู้นำระดับโลกในการพัฒนาและผลิตตัวเชื่อมต่ออิเล็กทรอนิกส์ / ไฟฟ้าและระบบเชื่อมต่อระหว่างกัน ผลิตภัณฑ์มีตั้งแต่เทอร์มินัลและ...รายละเอียด
-
RP73D1J150KBTG
AMP Connectors / TE Connectivity
ลักษณะ:RES SMD 150K OHM 0.1% 1/10W 0603
-
RN73C1E13K3BTG
AMP Connectors / TE Connectivity
ลักษณะ:RES SMD 13.3KOHM 0.1% 1/16W 0402
-
CPF0805B124KE1
AMP Connectors / TE Connectivity
ลักษณะ:RES SMD 124K OHM 0.1% 1/10W 0805
-
RP73PF1E316RBTD
AMP Connectors / TE Connectivity
ลักษณะ:RES 316 OHM 0.1% 1/10W 0402
- LAPIS Semiconductor
- - ROHM ก่อตั้งขึ้นในกรุงเกียวโตประเทศญี่ปุ่นในปีพ. ศ. 2501 ROHM ออกแบบและผลิตผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์วงจรรวมและส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ คอมโพเนนต์เหล่านี้ห...รายละเอียด
-
KTR10EZPF3570
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:RES SMD 357 OHM 1% 1/8W 0805
-
MCR18ERTF4872
Rohm Semiconductor
ลักษณะ:RES SMD 48.7K OHM 1% 1/4W 1206
-
MCR10EZHF1430
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:RES SMD 143 OHM 1% 1/8W 0805
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- - Samsung Electro Mechanics (SEMCO) ก่อตั้งขึ้นในปีพ. ศ. 2516 ในฐานะ บริษัท ในเครือของซัมซุงคอร์ปอเรชั่น SEMCO เป็นผู้นำระดับโลกที่จัดหาชิ้นส่วนพาสซีฟในหลายภาคอุตสาหกรรม SEMCO ประก...รายละเอียด
-
RC6432F1R47CS
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
ลักษณะ:RES 1.47 OHM 1% 1W 2512
-
RCS3216F102CS
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
ลักษณะ:RES 1K OHM 1% 1/4W 1206
-
RU1005FR033CS
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
ลักษณะ:RES 33M OHM 1% 1/8W 0402
- Stackpole Electronics, Inc.
- - Stackpole Electronics จัดหาส่วนประกอบตัวต้านทานรวมถึงตัวต้านทานตัวยึดแชสซีผ่านตัวต้านทานรู, ตัวต้านทานชิปบนพื้นผิวและอาร์เรย์ของตัวเก็บประจุ Stackpole เริ่มผลิตตัวต้า...รายละเอียด
-
RMCF2010FT61K9
Stackpole Electronics, Inc.
ลักษณะ:RES 61.9K OHM 1% 3/4W 2010
-
RMCF1210FT47R5
Stackpole Electronics, Inc.
ลักษณะ:RES 47.5 OHM 1% 1/2W 1210
-
RNCF1206BTC5R90
Stackpole Electronics, Inc.
ลักษณะ:RES 5.9 OHM 0.1% 1/4W 1206