0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | TK50P03M1(T6RSS-Q) | ผู้ผลิต | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| ลักษณะ | MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3 | สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | ปราศจากสารตะกั่วและ RoHS |
| ปริมาณที่มีอยู่ | 86599 pcs | แผ่นข้อมูล | TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.3V @ 200µA | Vgs (สูงสุด) | ±20V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DP |
| ชุด | U-MOSVI-H | RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 25A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 47W (Tc) | บรรจุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ชื่ออื่น | TK50P03M1(T6RSSQ)CT TK50P03M1T6RSSQ |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1700pF @ 10V | ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25.3nC @ 10V |
| ประเภท FET | N-Channel | คุณสมบัติ FET | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V |
| คำอธิบายโดยละเอียด | N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP | ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
|---|---|---|
| ดีเอชแอ | www.DHL.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ยูพีเอส | www.UPS.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ทีเอ็นที | www.TNT.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
